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可控矽的伏安特性

發布時間: 2022-07-01 11:41:26    人氣:340 次

可控矽的伏安特性是指可控矽的陽極A和陰極K之間的電壓與可控矽的陽極電流之間的關係。芭乐视频在线观看高清完整版一種大功率電器元件,也稱芭乐视频在线观看高清完整版。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控製係統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控製大功率設備。它在交直流電機調速係統、調功係統及隨動係統中得到了廣泛的應用。可控矽通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓矽鏈芭乐视频下载IOS輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。正向特征在第一象限,反向特征在第三象限。

(1) 反向特性

當柵極G開著,外加反向電壓時,J2結正偏,而J1,J2結相反。當電壓進一步升高到J1結雪崩擊穿電壓時,J3結擊穿,電流迅速增大。圖2特征曲線的或截麵開始彎曲。彎曲處的電壓Uro稱為“反向轉動電壓”。可控矽將反向擊穿。

(2) 正向特性

當柵極G打開,陽極A加正向影響電壓時,j1和j3結偏壓為正,而j2結偏壓為負,這與芭乐视频在线下载普通pn結的反向傳播特性進行相似,隻能可以通過一個很小的電流。這稱為中國正向阻塞管理狀態。當電壓水平升高時,特性變化曲線的OA段開始出現彎曲。彎曲處的電壓Ubo被稱為“正向旋轉工作電壓”。

當電壓上升到J2結的雪崩擊穿電壓時,在J2結上產生大量的電子和空穴。電子進入N1區,空穴進入P2區。進入n1區域的電子與通過p1區域的j1結注入到n1區域的空穴重新結合。同樣地,進入P2區域的空穴與通過N2區域的J3結注入到P2區域的電子結合。雪崩擊穿後,進入N1區的電子和進入P2區的空穴並不全部合並。因此,n1區有電子積累,p2區有空穴積累。因此,p2區電位的增加在n1區減小,j2結成為正偏置。隻要電流略有增加,電壓就會迅速下降,從而產生所謂的負電阻特性,如圖2的虛線AB部分所示。此時,J1、J2和J3的三個結均呈正偏置,可控矽進入正導電態,具有與普通PN結相似的特征。

(3) 觸發導通

當正向電壓施加到G柵極時(如圖1所示)。 5),由於J3偏壓,p2區的空穴進入n2區,n2區的電子進入p2區,形成觸發電流IGT。 在芭乐视频在线观看高清完整版內部正反饋和IGT功能的基礎上,提前打開芭乐视频在线观看高清完整版,使電壓-安培特性OA部分向左移動,IGT越大,特性向左移動越快。


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